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氮化矽薄膜沉積工藝取得突破

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氮化矽薄膜沉積工藝取得突破

發布日期:2017-09-17 作者: 點擊:

  日前,通過對工藝技術的創新研發和反複實驗,陝西有色光電科技有限公司太陽能電池PECVD工序取得了關鍵技術突破,研發出沉積三層氮化矽膜的最優工藝條件,電池片轉化效率提升了0.07%-0.1%,現已導入産線批量生産。


  實驗結果表明,三層氮化矽薄膜的互補作用對電池片起到了很好的減反射效果,第一層氮化矽膜厚在10nm左右,折射率在2.4-2.6之間,起到了很好的鈍化作用,第二層氮化矽膜厚在30nm左右,折射率在2.0-2.2之間,第三層膜厚在45nm左右,折射率在2.0以内,三層膜系結構設計可使入射的太陽光在電池内多次折射,最大程度地增加了對光的吸收,顯著降低了電池表面的光反射,同時,在實驗的過程中将三層氮化矽薄膜沉積工藝改為間斷性沉積後,氮化矽薄膜平均等效厚度在80-85nm,等效折射率為2.08-2.15,平均反射率降低了2%,相比兩層膜的連續性沉積工藝大大提升了氮化矽膜的緻密性,提高了氮化矽膜對電池片的鈍化效果,增大了電池片的開路電壓和短路電流,從而既顯著提高了電池片的轉換效率,又極大地改善了原來兩層膜工藝出現的色差問題。


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